@MASTERSTHESIS{ 2023:533296127,
 	title = {Preparo de dióxido de titânio cristalino dopado com enxofre a partir de oxissulfeto de titânio amorfo para reações de foto-oxidação},
 	year = {2023},
 	url = "http://localhost:8080/tede/handle/tede/515",
 	abstract = "O dióxido de titânio (TiO2) é um semicondutor largamente utilizado nos processos de conversão de energia solar, pois apresenta estabilidade a longo prazo contra corrosão, baixa toxicidade e custo. Nos últimos anos, pesquisas têm sido feitas visando modificar as propriedades ópticas e catalíticas do TiO2, com o objetivo na conversão de luz visível. Neste sentido, filmes de dióxido de titânio dopado com S (S-TiO2) foram preparados a partir da oxidação do oxissulfeto de titânio (TiOxSy) por tratamento térmico. A composição química dos materiais sintetizados foi feita por espectroscopia de fotoelétrons de raios X (XPS) e mostraram que a amostra tratada termicamente a 600 ºC possui uma relação O/Ti de 2,26, característico do TiO2. O sinal de XPS em região de energia de ligação de 163,47 eV foi atribuída ao S2-do TiOxSy amorfo ligado ao titânio, indicando a formação do TiOxSy. Este sinal, no espectro de alta resolução do XPS, diminuiu de intensidade a partir de 300°C e há uma redução significativa a partir dos 400°C, sugerindo que enxofre é removido do material durante o tratamento térmico. Medidas de Análise Termogravimétrica (TGA) e Calorimetria Exploratória Diferencial (DSC) sugerem a ocorrência de transições de fase para o material, em temperaturas entre 300 e 600 ºC. A transição de fase foi conformada por medidas de difração de raios X (DRX). Os filmes calcinados em 300, 400, 500 e 600 ºC apresentaram uma fase anatasa pura, enquanto a amostra não calcinada de TiOxSy é amorfa. Estudos de espectroscopia Raman indicaram uma maior organização estrutural do óxido com o aumento da temperatura de tratamento térmico do material. A caracterização óptica realizada por espectroscopia de absorção UV-Vis mostrou que o enxofre presente como dopante alterou a região de absorção da radiação do material do ultravioleta para a região visível. Em comparação ao TiO2 comercial, que apresentou uma energia de banda proibida (Ebg) de 3,14 eV, o S-TiO2 teve uma Ebg correspondente a absorção de luz na região de visível, com estimada em 2,98 eV. Estudos fotoeletroquímicos desenvolvidos sob irradiação policromática revelaram que o S-TiO2 é um semicondutor do tipo-n, com valores de fotocorrentes superiores para amostra calcinada a 600 ºC. As posições relativas das bandas do S-TiO2 indicam que o material é adequado para processos de foto-oxidação de poluentes orgânicos ou outros processos fotocatalíticos sob irradiação visível.",
 	publisher = {Universidade Estadual do Piauí},
 	scholl = {Programa de Pós-Graduação em Química},
 	note = {Centro de Ciências da Natureza}
}